Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2 (Контрольная)

Контрольная работа № 2 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “ . Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3 Работу не высылать.

Аннотация. Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.

Исходные данные: Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б Величина напряжения питания Е п ……………………………………………... 5 В Сопротивление коллекторной нагрузки R к …………………………………… 1,6 кОм Сопротивление нагрузки R н ……………………………………………………. 1,8 кОм Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивноёмкостной связью с нагрузкой. Биполярный транзистор ГТ310Б. Краткая словесная характеристика: Транзисторы германиевые диффузионносплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в усилителях высокой частоты.

Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Обозначение типа приводится на этикетке. Масса транзистора не более 0,1 г.. Электрические параметры.

Коэффициент шума при = 1 ,6 МГц, U кб = 5 В, I Э = 1 мА не более ……………. 3 дБ Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при U кб = 5 В, I Э = 1 мА, = 50 – 1000 Гц ……………………………….. 60 – 180 Модуль коэффициента передачи тока H 21 э при U кб = 5 В, I Э = 5 мА, = 20 М Гц не менее …………………………... 8 Постоянная времени цепи обратной связи при U кб = 5 В, I Э = 5 мА, = 5 М Гц не более ………………………….… 300 пс Входное сопротивление в схеме с общей базой при U кб = 5 В, I Э = 1 мА …………………………………………………… 38 Ом Выходная проводимость в схеме с общей базой при U кб = 5 В, I Э = 1 мА, = 50 – 1000 Гц не более …………………….. 3 мкСм Ёмкость коллектора при U кб = 5 В, = 5 М Гц не более ………………………… 4 пФ Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллекторэмиттер: при R бэ = 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В при R бэ = 200 кОм ……………….……………………………………….. 6 В Постоянное напряжение коллекторбаза ………………………………………... 12 В Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………... 20 мВт Тепловое сопротивление переходсреда ………………………………………... 2 К/мВт Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до 328 К Примечание.

Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле: P К.макс = ( 348 – Т )/ 2 Входные характеристики. Для температуры Т = 293 К :

I б , мк А
U кэ = 0 В
160
U кэ = 5 В
80
40
	0,05	0,1	0,15	0,2	0,25	0,3	0,35	U бэ ,В

I б = 80 мкА I к , мА
I б = 70 мкА 9
I б = 60 мкА
7
I б = 50 мкА
I б = 40 мкА
I б = 30 мкА
I б = 20 мкА
I б = 10 мкА
	1	2	3	4	5	6	U кэ ,В

I к , мА
I б0 = 30 мкА
					А
I к 0
1
	1	2	3	4	5 U кэ 0	6	7	8	9 Е п	U кэ ,В

U кэ = 0 В I б , мк А
U кэ = 5 В
40
I б0
20
10
0,15	0,17	0,19	0,21	0,23	0,25	0,27	0,29 U бэ0	0,31	U бэ ,В

I б = 40 мкА I к , мА
I б0 = 30 мкА
					I к 0
								I к
1
	1	2	3	4	5 U кэ 0	6	7	8	9 Е п	U кэ ,В

U кэ = 4,2 В I б , мк А
			I б
I б0
10
0,15	0,17	0,19	0,21	0,23	0,25	0,27	0,29 U бэ0	0,31	U бэ ,В

Величины G -параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:

I к , мА
I б0 = 30 мкА
					А
I к 0
1
	1	2	3	4	5 U кэ 0	6	7	8	9 Е п	U кэ ,В

I б0 = 30 мкА I к , мА
					А
			I к
3 I к 0
I б1 = 20 мкА
1
	1	2	3	4	5 U кэ 0	6	7	8	9 Е п	U кэ ,В

U кэ = 4,2 В I б , мк А
			I б
I б0
10
0,15	0,17	0,19	0,21	0,23	0,25	0,27	0,29 U бэ0	0,31	U бэ ,В