КАТЕГОРИИ

Литература, Лингвистика

Компьютеры и периферийные устройства

Философия

Менеджмент (Теория управления и организации)

Бухгалтерский учет

География, Экономическая география

Международные экономические и валютно-кредитные отношения

Технология

Экономическая теория, политэкономия, макроэкономика

Психология, Общение, Человек

Государственное регулирование, Таможня, Налоги

Культурология

Военное дело

Транспорт

Охрана природы, Экология, Природопользование

Музыка

Программное обеспечение

История

Уголовный процесс

Математика

Маркетинг, товароведение, реклама

Геология

Финансовое право

Политология, Политистория

Биология

Сельское хозяйство

Медицина

Химия

Криминалистика и криминология

Техника

Трудовое право

Социология

Теория систем управления

Физика

Искусство, Культура, Литература

Космонавтика

Физкультура и Спорт

Историческая личность

История отечественного государства и права

Искусство

Астрономия

Гражданское право

Здоровье

Радиоэлектроника

Военная кафедра

Право

Уголовное право

Уголовное и уголовно-исполнительное право

История экономических учений

Педагогика

Программирование, Базы данных

Микроэкономика, экономика предприятия, предпринимательство

Правоохранительные органы

Религия

Налоговое право

Разное

Прокурорский надзор

Нотариат

Международное частное право

Компьютеры, Программирование

Биржевое дело

Банковское дело и кредитование

Архитектура

Ветеринария

Компьютерные сети

Юридическая психология

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1 (Контрольная)

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1 (Контрольная)

Контрольная работа № 1 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “ . Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3 Работу не высылать.

Аннотация. Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов. Диод 2Д510А Краткая словесная характеристика диода. Диод кремниевый эпитаксиальнопланарный.

Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода. Масса диода не более 0,15 г.

Паспортные параметры.

Электрические параметры: Постоянное прямое напряжение при не I пр = 200 мА более: при 298 и 398 К …………………………………………………………….. 1,1 В при 213 К …………………………………………………………………… 1,5 В Постоянный обратный ток при U пр = 50 В , не более: при 298 и 213 К ……………………………………………………………. 5 мкА при 398 К …………………………………………………………………… 150 мкА Заряд переключения при I пр = 50 мА, U обр,и = 10 В, не более ………………. 400 пКл Общая ёмкость диода при U обр = 0 В, не более ………………………………… 4 пФ Время обратного восстановления при I пр = 50 мА, U обр,и = 10 В, I отсч = 2 мА не более ……………………………………………………………… 4 нс Предельные эксплуатационные данные: Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и периодичности) ……………………………………………………………………… 50 В Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скважности не менее 10 ………………………………………… 70 В Постоянный или средний прямой ток: при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 200 мА при 393 К ………………………………………………………………….. 100 мА Импульсной прямой ток при и 10 мкс (без превышения среднего прямого тока): при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 1500 мА при 393 К ………………………………………………………………….. 500 мА Температура перехода ……………………………………………………………… 423 К Температура окружающей среды ………………………………………………….От 213 до 393 К Семейство вольтамперных характеристик:

I пр ,мА
200
160
120
80
40
0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 U пр ,В
Расчёты и графики зависимостей: 1) R = и переменному току (малый сигнал) r ~ от прямого и обратного напряжения для комнатной температуры 298 К. Зависимость тока от прямого напряжения:
I пр ,мА
200 I 8
180
140
100
80
I 1
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 U 1 0,8 0,9 1,0 1,1 U 8 U пр ,В
I 1 = 10 мА, U 1 = 0,63 В, R 1 = U 1 / I 1 = 0,63 / 10 мА = 63 Ом I 2 = 20 мА, U 2 = 0,73 В, R 2 = U 2 / I 2 = 0,73 / 20 мА = 36,5 Ом I 3 = 40 мА, U 3 = 0,81 В, R 3 = U 3 / I 3 = 0,81 / 40 мА = 20,3 Ом I 4 = 60 мА, U 4 = 0,86 В, R 4 = U 4 / I 4 = 0,86 / 60 мА = 14,3 Ом I 5 = 80 мА, U 5 = 0,90 В, R 5 = U 5 / I 5 = 0,90 / 80 мА = 11,3 Ом I 6 = 120 мА, U 6 = 0,97 В, R 6 = U 6 / I 6 = 0,97 / 120 мА = 8,03 Ом I 7 = 160 мА, U 7 = 1,03 В, R 7 = U 7 / I 7 = 1,03 / 160 мА = 6,4 Ом I 8 = 200 мА, U 8 = 1,10 В, R 8 = U 8 / I 8 = 1,10 / 200 мА = 5,5 Ом I 1 = 10 мА , U 1 = 0,10 В, r 1 = U 1 / I 1 = 0 ,10 / 10 мА = 10 Ом I 2 = 20 мА , U 2 = 0,08 В, r 2 = U 2 / I 2 = 0 ,08 / 20 мА = 4 Ом I 3 = 20 мА , U 3 = 0,05 В, r 3 = U 3 / I 3 = 0 ,05 / 20 мА = 2,5 Ом I 4 = 20 мА , U 4 = 0,04 В, r 4 = U 4 / I 4 = 0 ,04 / 20 мА = 2 Ом I 5 = 40 мА , U 5 = 0,07 В, r 5 = U 5 / I 5 = 0 ,07 / 40 мА = 1,7 Ом I 6 = 40 мА , U 6 = 0,06 В, r 6 = U 6 / I 6 = 0 ,06 / 40 мА = 1,5 Ом I 7 = 40 мА , U 7 = 0,07 В, r 7 = U 7 / I 7 = 0 ,07 / 40 мА = 1,7 Ом Зависимость сопротивления постоянному току R = от прямого напряжения U пр :
R = ,Ом
70 R 1
60
50
20
R 8
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 U 1 0,8 0,9 1,0 1,1 U 8 U пр ,В
Зависимость сопротивления переменному току r ~ от прямого напряжения U пр :
r ~ ,Ом
10
9
8
7
6
4
2
1
0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 U 1 0,8 0,9 1,0 1,1 U 7 U пр ,В
Зависимость тока I обр от обратного напряжения U обр :
I обр , мк А
5,0 I 7
4,5
3,5
2,5
1,5
I 1
0 5 10 15 20 25 30 35 40 U 1 45 50 U 7 U об ,В
I 1 = 0 ,25 мкА, U 1 = 37 В, R 1 = U 1 / I 1 = 37 / 0,25 мкА = 148 МОм I 2 = 0,50 мкА, U 2 = 40 В, R 2 = U 2 / I 2 = 40 / 0,50 мкА = 80 М Ом I 3 = 1,00 мкА, U 3 = 42 В, R 3 = U 3 / I 3 = 42 / 1,00 мкА = 42 МОм I 4 = 2,00 мкА, U 4 = 44 В, R 4 = U 4 / I 4 = 44 / 2,00 мкА = 22 М Ом I 5 = 3,00 мкА, U 5 = 46 В, R 5 = U 5 / I 5 = 46 / 3,00 мкА = 15,3 МОм I 6 = 4,00 мкА, U 6 = 48 В, R 6 = U 6 / I 6 = 48 / 4,00 мкА = 12 М Ом I 7 = 5,00 мкА, U 7 = 50 В, R 7 = U 7 / I 7 = 50 / 5,00 мкА = 10 МОм I 1 = 0,25 мкА , U 1 = 3 В, r 1 = U 1 / I 1 = 3 / 0,25 мкА = 12 МОм I 2 = 0,50 мкА , U 2 = 2 В, r 2 = U 2 / I 2 = 2 / 0,50 мкА = 4 МОм I 3 = 1,00 мкА , U 3 = 2 В, r 3 = U 3 / I 3 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм I 4 = 1,00 мкА , U 4 = 2 В, r 4 = U 4 / I 4 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм I 5 = 1,00 мкА , U 5 = 2 В, r 5 = U 5 / I 5 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм I 6 = 1,00 мкА , U 6 = 2 В, r 6 = U 6 / I 6 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм Зависимость сопротивления постоянному току R = от обратного напряжения U обр :
R = , МОм
140
120
100
80
0 5 10 15 20 25 30 35 40 U 1 45 50 U 7 U об ,В
Зависимость сопротивления переменному току r ~ от обратного напряжения U обр :
r ~ , МОм
10
8
6
4
0 5 10 15 20 25 30 35 40 U 1 45 50 U 7 U об ,В
2) С обр от обратного напряжения:
С д , пФ
3
2
1
0 20 40 60 80 U обр В
Определение величин температурных коэффициентов.

Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТК U пр и ТК I обр .

I пр ,мА
298К
120
213К
40
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 U 1 1,4 1,6 U 2 U пр ,В
I = 200 мА, U 1 = 1,5 B, U 2 = 1,1 B, T 1 = 298 K, T 2 = 213 K
I обр , мк А
150 I 2
398К
125
100
298 К
50
25 I 1
0 10 20 30 40 50 U 60 U обр В
U = 50 B, I 1 = 5 мкА, I 2 = 150 мкА, Т 1 = 298 К, Т 2 = 398 К
Определение сопротивления базы.

Величина сопротивления базы r б оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):

I пр ,мА
I 2
400
U 1
U 2
I 1
100
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 U пр ,В
Тепловой потенциал:
По вольтамперной характеристике определяем: U 1 = 1,1 В, U 2 = 1,2 В, I 1 = 200 мА, I 2 = 500 мА
Малосигнальная высокочастотная схема диода и величины её элементов.