Курсовые работы, рефераты бесплатно скачать!
Литература, Лингвистика
Компьютеры и периферийные устройства
Философия
Менеджмент (Теория управления и организации)
Бухгалтерский учет
География, Экономическая география
Международные экономические и валютно-кредитные отношения
Технология
Экономическая теория, политэкономия, макроэкономика
Психология, Общение, Человек
Государственное регулирование, Таможня, Налоги
Культурология
Военное дело
Транспорт
Охрана природы, Экология, Природопользование
Музыка
Программное обеспечение
История
Уголовный процесс
Математика
Маркетинг, товароведение, реклама
Геология
Финансовое право
Политология, Политистория
Биология
Сельское хозяйство
Медицина
Химия
Криминалистика и криминология
Техника
Трудовое право
Социология
Теория систем управления
Физика
Искусство, Культура, Литература
Космонавтика
Физкультура и Спорт
Историческая личность
История отечественного государства и права
Искусство
Астрономия
Гражданское право
Здоровье
Радиоэлектроника
Военная кафедра
Право
Уголовное право
Уголовное и уголовно-исполнительное право
История экономических учений
Педагогика
Программирование, Базы данных
Микроэкономика, экономика предприятия, предпринимательство
Правоохранительные органы
Религия
Налоговое право
Разное
Прокурорский надзор
Нотариат
Международное частное право
Компьютеры, Программирование
Биржевое дело
Банковское дело и кредитование
Архитектура
Ветеринария
Компьютерные сети
Юридическая психология
Подобные работы
Расчет распределения примесей в кремнии при кристаллизационной очистке и диффузионном легировании
echo "Рассчитать и построить распределение указанной выше примеси (Ga) в полупроводнике после диффузионного отжига при различных условия диффузии: · при условии бесконечного источника примеси на повер
Электронноcчетный частотомер
echo "Пособие может быть использовано учащимися при изучении данной темы в курсе ЭРИ, при подготовке к лабораторным работам, а так же во время электроизмерительной практики. . - 3 - _Основные достоинс
ЗАТС типа EWSD Siemens на ГТС
echo "Развитие телефонной связи нашей страны связано с созданием коммутационной техники трех поколений. К первому поколению относятся автоматические телефонные станции декадно-шаговой системы (АТС ДШ)
Постановка лабораторной работы по курсу волоконнооптические системы связи
echo "Преимущества оптических систем передачи (СП) перед СП работающими по металлическому кабелю заключается в: -возможности получения световодов с малым затуханием и дисперсией, а значит увеличение д
Проектирование передающего устройства одноволоконной оптической системы передачи для городской телефонной сети
echo "Аппаратура «Соната-2» сопрягается со стандартным каналои группо-образующим оборудованием типов ИКМ-30 и ИКМ-120. В 1990 г . начат промышленный выпуск оборудования вторичной цифровой системы пере
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2 (Контрольная)
echo "Контрольная работа № 2 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “ . Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3 Работу не высылать. Аннотация. Целью рабо
Генератор телеграфного текста
echo "Неудобством этого способа передачи данных является сравнительно сложный процесс ввода информации связанный с необходимостью владеть навыками представления данных в коде Морзе. Решением этой про
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1 (Контрольная)
echo "Контрольная работа № 1 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “ . Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3 Работу не высылать. Аннотация. Целью рабо
Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-1 (Контрольная)Контрольная работа № 1 по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “ . Вариант № 17 Шифр: Ф.И.О Заочный факультет Радиотехника Курс: 3 Работу не высылать. Аннотация. Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов. Диод 2Д510А Краткая словесная характеристика диода. Диод кремниевый эпитаксиальнопланарный. Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода. Масса диода не более 0,15 г. Паспортные параметры. Электрические параметры: Постоянное прямое напряжение при не I пр = 200 мА более: при 298 и 398 К …………………………………………………………….. 1,1 В при 213 К …………………………………………………………………… 1,5 В Постоянный обратный ток при U пр = 50 В , не более: при 298 и 213 К ……………………………………………………………. 5 мкА при 398 К …………………………………………………………………… 150 мкА Заряд переключения при I пр = 50 мА, U обр,и = 10 В, не более ………………. 400 пКл Общая ёмкость диода при U обр = 0 В, не более ………………………………… 4 пФ Время обратного восстановления при I пр = 50 мА, U обр,и = 10 В, I отсч = 2 мА не более ……………………………………………………………… 4 нс Предельные эксплуатационные данные: Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и периодичности) ……………………………………………………………………… 50 В Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В) не более 2 мкс и скважности не менее 10 ………………………………………… 70 В Постоянный или средний прямой ток: при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 200 мА при 393 К ………………………………………………………………….. 100 мА Импульсной прямой ток при и 10 мкс (без превышения среднего прямого тока): при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 1500 мА при 393 К ………………………………………………………………….. 500 мА Температура перехода ……………………………………………………………… 423 К Температура окружающей среды ………………………………………………….От 213 до 393 К Семейство вольтамперных характеристик:
Определим графически из семейства вольтамперных характеристик величины температурных коэффициентов ТК U пр и ТК I обр .
Величина сопротивления базы r б оценивается по наклону прямой ветви ВАХ при больших токах (Т=298К):
|